本院數理組凌宏璋院士，不幸於2009年3月6日因心臟病病逝於美國馬里蘭州，享壽90歲。追悼儀式訂3月14日下午2時（美東時間）於Hines-Rinaldi Funeral Home舉行。凌院士1941 年畢業於上海交通大學電機系，1948年獲美國密西根大學碩士，1956年獲紐約布克倫理工大學電機博士。凌院士自1969年起任教於美國馬里蘭大學，1990年退休，獲頒榮譽教授。凌院士於1948-1956年，在RCA擔任研究員，從事半導體電路研究。時值半導體開發初期，他發明了「半對稱互補放大器」(Quasi-Complementary Amplifier)、溫度補償(Temperature Compensation)電路，此兩項發明至今仍被廣泛應用。1956年任職CBS半導體公司應用部主任。1959-1968年，凌院士在西屋(Westinghouse)公司負責發展積體電路研究。經過多年研究，他發明了橫向電晶體管(Lateral Transistor)，可以使PNP和NPN晶體管同時在同一積體電路上共存。還發明了電流鏡(Current Mirror)、浩盡腔負荷(Depletion Mode Load)及BiCMOS等多項積體電路，應用極廣，解決了積體電路發展初期產生的許多問題。凌院士著有170篇學術論文，57項美國發明專利，獨著Integrated Electronics 一書，合著3本學術專書。凌院士於1969年獲選為美國電子工程學會會員(Fellow of the Institute of Electrical and Electronics Engineers)，1978年並獲頒該會Ebers Award。1990年被選入馬里蘭大學工程革新名譽廳(Engineering Innovation Hall of Fame)。2000年獲選為本院院士。